国产车规碳化硅芯片突破国际壁垒

来源：网络日期：2025-10-23 浏览：

国产车规碳化硅芯片突破国际壁垒(图1)

　　2025年10月22日，比亚迪半导体宣布其长沙碳化硅（SiC）功率模块生产线正式投产。该产线采用全自主技术，良品率突破98%，达到英飞凌、罗姆等国际大厂水准，标志着国产车规级芯片在第三代半导体领域实现重大突破。

　　此次量产的核心产品为1200V SiC MOSFET模块，具备三大技术优势：导通损耗比传统IGBT降低50%，支持800V高压平台快充系统；热导率提升3倍，保障大电流工况稳定性；芯片面积缩小70%，助力新能源汽车轻量化设计。实测数据显示，搭载该模块的车型续航可提升5%-8%，充电时间缩短30%。

　　产线万套，将率先应用于比亚迪高端车型，并开放供应国内车企。在新能源汽车800V高压架构普及加速的背景下，国产SiPG电子通信C芯片的量产不仅打破海外企业垄断，更推动整车成本下降10%-15%。随着特斯拉、小鹏等车企800V车型密集上市，比亚迪半导体的产能释放将重塑全球功率半导体竞争格局。

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